TEMPO.CO, Jakarta - Samsung Electronics mengumumkan dimulainya produksi masal Universal Flash Storage tertanam (eUFS) 2.1, komponen penyimpanan pertama yang berkapasitas 1 TB.
Baca: Samsung Ganti Kemasan Plastik dengan Bahan Ramah Lingkungan
Ruang penyimpanan ini membuat Samsung bisa mendesain ponsel dengan kapasitas super-jumbo, melampaui kapasitas Samsung Galaxy Note 9 yang dirilis pada 2018.
Samsung Galaxy Note 9 hanya memiliki kapasitas penyimpanan internal sebesar 512 GB, yang bisa didongkrak menjadi 1.024 GB dengan menggunakan kartu memori eksternal.
“Komponen 1TB eUFS akan berperan penting dalam memberikan pengalaman yang menyerupai laptop bagi pengguna perangkat mobile generasi selanjutnya," kata EVP Memory Sales & Marketing Samsung Electronics Chel Choi, Rabu, 30 Januari 2019.
Baca Juga:
Komponen yang dilabeli 1TB eUFS tersebut dibangun dengan menyusun 16 lapis memori flash tercanggih Samsung, yaitu V-NAD 512 Gb. Proses produksi ini membuatnya memiliki kapasitas dua kali lebih lega dibandingkan dengan komponen serupa produksi Samsung dengan ukuran yang sama, yaitu 11,5 x 13 mm.
Dengan kapasitas 1 TB, pengguna ponsel bisa menyimpan 260 cuplikan video berkualitas 4K UHD dengan durasi 10 menit. Komponen eUFS berkapasitas 64 GB yang tertanam di mayoritas ponsel pintar premium saat ini hanya bisa menyimpan 13 cuplikan video dengan durasi dan kualitas yang sama.
Cip memori ini juga memiliki kecepatan proses yang jauh lebih cepat sehingga proses transfer data bisa selesai dalam waktu yang lebih singkat. Komponen 1TB eUFS mampu mendukung kecepatan 1.000 MB per tedik, dua kali lebih kencang dibandingkan dengan perangkat SSD yang umum tersedia di pasaran.
Video berkualitas Full HD sebesar 5G, misalnya, bisa ditransfer hanya dalam waktu 5 detik atau 10 kali lebih cepat dari tipe kartu micro-SD.
Keunggulan lain dari cip memori ini adalah kecepatan baca (random read speed) yang 38 persen lebih tinggi dibandingkan versi 512 GB. Kecepatan baca ini memberikan ponsel kemampuan untuk merekam video dengan kecepatan 960 frame per detik.
Samsung akan meningkatkan volume produksi memori flash 512 Gb V-NAND di pabrik mereka di Pyeongtaek, Korea Selatan sepanjang semester I/2019 untuk mengantisipasi permintaan atas 1TB eUFS dari vendor ponsel pintar di seluruh dunia.
