TEMPO.CO, Jakarta - Samsung menyiapkan chip penyimpanan internal smartphone generasi baru berkapasitas mulai dari 256GB hingga 1 terabyte, kapasitas terbesar yang bakal diluncurkan semester kedua 2019.
Untuk yang berkapasitas 256GB dan 512GB dari memori generasi baru berteknologi embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 ini, sudah tersedia mulai akhir Februari lalu.
Ini 5 Fitur Inovasi Samsung Galaxy S10
Memori penyimpanan generasi baru ini mampu menyajikan kecepatan dua kali dibanding eUFS 2.1 yang ada saat ini, kata Samsung dalam pernyataan resminya.
Chip generasi baru ini mendukung pengalaman pengguna yang lebih mudah pada smartphone generasi mendatang yang memiliki layar dengan resolusi ultra tinggi.
Cheol Choi, wakil presiden eksekutif eksekutif Penjualan & Pemasaran Memori di Samsung, mengatakan, memori baru ini sebelumnya hanya ada di laptop.
Memori eUFS 3.0 mempunyai kecepatan membaca data 2.100 megabyte per detik.
Kecepatan baca solusi baru ini empat kali lebih cepat dari pada SATA solid state drive (SSD) dan 20 kali lebih cepat dari kartu microSD pada umumnya. Ini memungkinkan smartphone premium mentransfer film Full HD ke PC dalam waktu sekitar tiga detik.
Selain itu, kecepatan tulis sekuensial juga telah ditingkatkan sebesar 50 persen menjadi 410MB per detik, setara dengan SSD SATA.
Kecepatan baca dan tulis acak memori baru Samsung ini memberikan peningkatan hingga 36 persen dari spesifikasi industri 2.1 eUFS saat ini, masing-masing pada 63.000 dan 68.000 Operasi Input / Output Per Detik (IOPS).
