TEMPO.CO, Jakarta -

Samsung diperkirakan akan mengumumkan dimulainya produksi massal chip 3 nm minggu depan. Adanya kabar ini, berarti Samsung akan berada di depan kompetitornya, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) yang sebelumnya mengumumkan akan memulai produksi chip 3 nm pada paruh kedua tahun ini.

Node 3 nm Samsung akan membawa penurunan area 35 persen, kinerja 30 persen lebih tinggi, atau konsumsi daya 50 persen lebih rendah dibandingkan dengan chip berbasis fabrikasi transistor 5 nm. Yang terakhir itu sudah digunakan untuk Snapdragon 888 dan Exynos 2100.

Kemajuan ini akan dicapai dengan beralih ke desain Gate-All-Around (GAA) untuk transistor. Desain ini merupakan langkah berikutnya setelah FinFET karena memungkinkan pengecoran untuk mengecilkan transistor, tanpa merusak kemampuan mereka untuk membawa arus.

Kunjungan Biden ke Samsung

Presiden AS Joe Biden mengunjungi pabrik Samsung di Pyeongtaek bulan lalu dan melihat demonstrasi teknologi 3 nm Samsung. Tahun lalu, telah terjadi pembicaraan bahwa perusahaan itu dapat menginvestasikan $10 miliar untuk membangun pabrik chip 3 nm di Texas. Investasi itu telah tumbuh menjadi $17 miliar. Diharapkan pabrik dapat mulai beroperasi pada 2024.

Namun, kekhawatiran terbesar dengan node baru adalah hasil. Pada Oktober tahun lalu Samsung menyatakan bahwa hasil dari proses frabrikasi chip 3 nm miliknya, "mendekati tingkat yang sama dengan proses 4nm". Tapi perusahaan tidak pernah menunjukkan angka resmi.

Ada rancangan chip 3 nm generasi kedua yang diharapkan pada 2023 dan peta jalan perusahaan juga mencakup node 2 nm berbasis MBCFET pada tahun 2025.

GSM ARENA